Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Отрицательная люминесценция надлине волны 3.9 мкм вдиодах на основе InGaAsSb

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Отрицательная люминесценция надлине волны 3.9 мкм вдиодах на основе InGaAsSb // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 951

Аннотация Приведены вольт-амперные характеристики, а также спектральные и ватт-амперные характеристики излучения диодов, изготовленных из двойных гетероструктур InAsSbP/InGaAsSb на подложке InAs, при прямом и обратном смещении вдиапазоне температур 25--90oC. Показано, что отрицательная люминесценция, возникающая вследствие экстракции носителей из областей вблизи от p-n-перехода при температурах ~ 90oC, имеет больший коэффициент преобразования, чем электролюминесценция. Показано сужение спектров отрицательной люминесценции вдиодах со встроенными резонаторами.