Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Химическая нитридизация поверхности(100)GaAs: влияние наэлектрофизические характеристки Au--Ti/GaAs поверхностно-барьерных структур

Львова Т.В., Берковиц В.Л., Дунаевский М.С., Лантратов В.М., Макаренко И.В., Улин В.П.

Львова Т.В., Берковиц В.Л., Дунаевский М.С., Лантратов В.М., Макаренко И.В., Улин В.П. Химическая нитридизация поверхности(100)GaAs: влияние наэлектрофизические характеристки Au--Ti/GaAs поверхностно-барьерных структур // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 955

Аннотация Исследовалось влияние химической нитридизации поверхности подложек (100) GaAs в гидразин-сульфидных растворах перед формированием барьерных контактов на параметры поверхностно-барьерных структур Au--Ti/GaAs. Структуры, сформированные на нитридизованных подложках, обнаруживают уменьшение обратных токов и увеличение напряжения пробоя. При этом высота потенциального барьера в таких структурах равна 0.71±0.02 эВ, а коэффициент идеальности составляет 1.06±0.01. Наблюдаемый эффект улучшения электрофизических параметров структур обусловлен замещением на поверхности подложки слоя естественного окисла тонким когерентным слоем нитрида галлия.