Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Метаморфные лазеры спектрального диапазона1.3 мкм, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии наподложкахGaAs

Жуков А.Е., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Малеев Н.А., Васильев А.П., Никитина Е.В., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Шерняков Ю.М., Мусихин Ю.Г., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Алферов Ж.И. Метаморфные лазеры спектрального диапазона1.3 мкм, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии наподложкахGaAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1143

Аннотация Реализован метод эпитаксиального формирования инжекционных лазеров на диапазон длин волн1.3 мкм на подложках GaAs. Метод основан на использовании метаморфной гетероструктуры с содержанием индия около20%, осаждаемой на переходном буферном слое, предназначенном для релаксации напряжения рассогласования. Вкачестве активной области лазера используются квантовые ямы с более высоким (около40%) содержанием индия. Влазерах полосковой конструкции шириной 100 мкм продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре на длине волны 1.29 мкм с минимальной пороговой плотностью тока 3.3 кА/см2 (0.4 кА/см2 при85 K).