Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Резонансное комбинационное рассеяние света внаноостровкахGe, сформированных на подложке Si(111), покрытой ультратонким слоемSiO2

Володин В.А., Ефремов М.Д., Никифоров А.И., Орехов Д.А., Пчеляков О.П., Ульянов В.В.

Володин В.А., Ефремов М.Д., Никифоров А.И., Орехов Д.А., Пчеляков О.П., Ульянов В.В. Резонансное комбинационное рассеяние света внаноостровкахGe, сформированных на подложке Si(111), покрытой ультратонким слоемSiO2 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1220

Аннотация Наноостровки германия, сформированные на поверхностиSi сориентацией (111), покрытой ультратонким слоем окисла, были исследованы сприменением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света. Для анализа экспериментальных данных проведены численные расчеты спектров для реальных островков, содержащих несколько сотен атомов германия. Обсуждены эффекты резонансного усиления интенсивности комбинационного рассеяния света всистеме <наноостровок германия>-окисел-кремний ивлияния латеральных размеров наноостровков на частоты локализованных вних фононов.