Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики им.Х.И.Амирxанова Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Термоэдс полупроводникового p-n-гетероперехода

Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш.

Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш. Термоэдс полупроводникового p-n-гетероперехода // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1334

Аннотация Получены и исследованы \glqq длинные\grqq p-n-гетеропереходы Ge--GaAs. Измерена термоэдс гетероперехода в зависимости от разности температур на торцах от 10 до 180 K, при постоянной средней температуре, равной300 K. Найдено, что при большом градиенте температуры эксперимент согласуется с теорией, учитывающей появление неосновных носителей за счет тепловой эмиссии.