Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии

Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С.

Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1473

Аннотация Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и гидридов (МОС-гидридной эпитаксии) были получены лазерные гетероструктуры в системе твердых растворов GaInAsP/GaInP/AlGaInP. Конструкция лазерной структуры была выбрана на основании расчета разрывов зон на гетерогранице в активной области волновода. На мезаполосковых лазерных диодах с шириной полоска W=5 мкм была получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 320 мВт с длиной волны излучения 780 нм.