Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияГНЦ РФ &#92;glqq Гиредмет&#92;grqq, 119017 Москва, Россия * Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова (Физический факультет), 119899 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование структурного совершенства эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe / CdZnTe методом комбинационного рассеяния света

Белогорохов А.И., Денисов И.А., Смирнова Н.А., Белогорохова Л.И.

Белогорохов А.И., Денисов И.А., Смирнова Н.А., Белогорохова Л.И. Исследование структурного совершенства эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe / CdZnTe методом комбинационного рассеяния света // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 84

Аннотация Подробно обсуждаются результаты исследований профиля распределения и характера изменения интенсивности решеточных колебаний, инициированных структурными дефектами различной природы, по глубине слоя в эпитаксиальных структурах CdxHg1-xTe / CdZnTe. Экспериментальные результаты получены с помощью метода комбинационного рассеяния света в микрорежиме по сколу образца, сделанному перпендикулярно грани [111] непосредственно перед проведением измерений. Особое внимание уделяется вопросу о возможности получения информации о присутствии структурных дефектов в катионной подрешетке и преципитатов теллура в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe.