Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах

Борисенко С.И.

Борисенко С.И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 207

Аннотация Проведен расчет продольной и поперечной подвижности электронов нижней минизоны сверхрешетки GaAs/Al0.35Ga0.65As в случае рассеяния на дальнодействующем потенциале полярных оптических фононов при T=300 K. Проведен анализ парциальных вкладов в подвижность и эффективное время релаксации от различных мод колебаний дальнодействующего потенциала таких фононов. Исследованы зависимости подвижности и эффективного времени релаксации как на полярных оптических, так и на акустических фононах от ширины квантовой ямы сверхрешетки и от температуры. Расчет выполнен с помощью линеаризованного уравнения Больцмана. Скалярный потенциал полярных оптических фононов рассчитывался в модели диэлектрического континуума.