Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Формирование толстых слоев пористого кремния принедостаточной концентрации неосновных носителей

Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М.

Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. Формирование толстых слоев пористого кремния принедостаточной концентрации неосновных носителей // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 739

Аннотация Исследованы особенности образования толстых слоев пористого кремния на кремниевых подложках n-типа в гальваностатическом режиме. Обнаружен скачок на зависимостях напряжение--время в процессе анодирования при освещении видимым светом без ИК составляющей. Скачок сопровождается возникновением крупноблочного нарушенного слоя кремния. Показано, что эти эффекты связаны с недостаточной концентрацией дырок, необходимых для травления кремния. Врезультате механизм генерации неосновных носителей изменяется от радиационного на механизм лавинного пробоя.