Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияНациональный технический университет &#92;glqq Харьковский политехнический институт&#92;grqq, 61002 Харьков, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Границы раздела слоев ишероховатость вмногослойной кремниевой структуре

Беляева А.И., Галуза А.А., Коломиец С.Н.

Беляева А.И., Галуза А.А., Коломиец С.Н. Границы раздела слоев ишероховатость вмногослойной кремниевой структуре // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1050

Аннотация Приведены результаты спектральных эллипсометрических исследований сложной многослойной системы <подложкаSi>-<слойSiO2>-<слой поликристаллическогоSi>. Предложена методика анализа многослойной структуры, основанная на сильной зависимости экспериментальных данных спектральной эллипсометрии от глубины проникновения зондирующего излучения при различных длинах волн видимого диапазона. Определена реальная структура системы и параметры слоев. Обработка эллипсометрических данных дала возможность обнаружить естественный шероховатый поверхностный окисный слойSiO2, а также переходный слой на границе раздела <слой поликристаллическогоSi>-<слой естественного окисла>, определены их состав и толщина. Показано, что осажденный слойSi представляет собой смесь кристаллической и аморфной фаз, найдено их процентное содержание.