Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности отжига радиационных дефектов вкремниевых p-n-структурах: роль примесных атомов железа

Комаров Б.А.

Комаров Б.А. Особенности отжига радиационных дефектов вкремниевых p-n-структурах: роль примесных атомов железа // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1079

Аннотация Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследовано образование комплексов <радиационный дефект>--<остаточная примесь в кремнии>. Установлено, что термические обработки диффузионных Si p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами, приводят к активации остаточной примеси Fe и образованию комплексов FeVO (ловушкаE0.36) и FeV2 (ловушка H0.18). Формирование этих ловушек сопровождается ранней (100-175oC) стадией отжига основных вакансионных радиационных дефектов: A-центра (VO) и дивакансии (V2). Обнаруженные комплексы электрически активны, вводят новые электронный (E0.36: Eet=Ec-0.365 эВ, sigman=6.8·10-15 см2) и дырочный (H0.18: Eht=Ev+0.184 эВ, sigmap=3.0·10-15 см2) уровни в запрещенную зону полупроводника и проявляют высокую термическую стабильность. Полагается, что наблюдавшимся ранее в литературе неизвестным дефектом с энергией Eet=Ec-(0.34-0.37) эВ, возникающим при отжиге облученных диффузионныхSi p+-n-переходов, является комплекс FeVO.