Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Технический университет Берлина, Берлин D-10623, Германия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками

Максимов М.В., Сизов Д.С., Макаров А.Г., Каяндер И.Н., Асрян Л.В., Жуков А.Е., Устинов В.М., Черкашин Н.А., Берт Н.А., Леденцов Н.Н., Bimberg D.

Максимов М.В., Сизов Д.С., Макаров А.Г., Каяндер И.Н., Асрян Л.В., Жуков А.Е., Устинов В.М., Черкашин Н.А., Берт Н.А., Леденцов Н.Н., Bimberg D. Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1245

Аннотация Исследовано влияние дислокаций на интенсивность фотолюминесценции структур с квантовыми точками в системе InAs--GaAs. Структурные характеристики образцов, в том числе плотность дислокаций, исследовались электронной микроскопией как в режиме светлого поля, так и в режиме слабого пучка. При температурах ниже комнатной и умеренных плотностях мощности накачки структура, содержащая большие кластеры с дислокациями, и структура, в которой их плотность существенно меньше, имеют примерно одинаковую интенсивность фотолюминесценции. Впротивоположность этому интенсивности люминесценции, измеренные при больших плотностях накачки и повышенных температурах, позволяют адекватно оценить кристаллическое качество структур с квантовыми точками. Отжиг квантовых точек после заращивания их тонким (1--2 нм) слоем GaAs позволяет уменьшить плотность кластеров с дислокациями и существенно увеличить температурную стабильность интенсивности фотолюминесценции.