Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФТИ НПО &#92;glqq Физика--- Солнце&#92;grqq Академии наук Республики Узбекистан, 700084 Ташкент, Узбекистан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Твердые растворы ( C IV2)1-x( A III B V)x, полученные изограниченного объема оловянного раствора--расплава

Сапаев Б., Саидов М.С., Саидов А.С., Каражанов С.Ж.

Сапаев Б., Саидов М.С., Саидов А.С., Каражанов С.Ж. Твердые растворы ( C IV2)1-x( A III B V)x, полученные изограниченного объема оловянного раствора--расплава // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1285

Аннотация Приводятся теоретические предпосылки образования непрерывного ряда твердых растворов замещения с позиции учета обобщенных моментов, разности валентности и ковалентных радиусов исходных компонентов. На основе этих исследований разработана технология получения из оловянного раствора--расплава методом принудительного охлаждения эпитаксиальных слоев (Si2)1-x(GaAs)x (0=<q x=<q0.96) и (Si2)1-x(GaP)x (0=<q x=<q 1) на кремниевых подложках. Исследованы распределение компонентов по толщине слоев (Si2)1-x(GaAs)x, (Si2)1-x(GaP)x, фоточувствительность и вольт-амперные характеристики гетероструктур Si-(Si2)1-x(GaAs)x и Si-(Si2)1-x(GaP)x. Анализ результатов рентгеновских исследований и фотоэлектрических свойств полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов указывает на структурное совершенство выращенных твердых растворов (CIV2)1-x(AIIIBV)x.