Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Инфракрасные светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов--расплавов

Астахова А.П., Гребенщикова Е.А., Иванов Э.В., Именков А.Н., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Яковлев Ю.П.

Астахова А.П., Гребенщикова Е.А., Иванов Э.В., Именков А.Н., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Яковлев Ю.П. Инфракрасные светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов--расплавов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1466

Аннотация Сообщается о создании светодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов--расплавов. Приведены результаты исследования электролюминесцентных характеристик и их зависимости от тока и температуры. Внешний квантовый выход фотонов составил при комнатной температуре1.6 и0.11% для светодиодов с длиной волны излучения lambda=2.3 и 2.44 мкм соответственно. Для светодиодов с длиной волны излучения lambda=2.3 мкм при комнатной температуре в квазинепрерывном режиме достигнута средняя мощность излучения P=0.94 мВт, а в импульсном режиме пиковая мощность излучения составляла P=126 мВт (при токе3 А, длительности импульса0.125 мкс и частоте512 Гц).