Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия * Epichem Company, Bromborough, Wirral, UK ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs

Пряхин Д.А., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Гапонова Д.М., Мурель А.В., Шашкин В.И., Rushworth S.

Пряхин Д.А., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Гапонова Д.М., Мурель А.В., Шашкин В.И., Rushworth S. Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 17

Аннотация Сообщается о получении эпитаксиальных слоев BxGa1-xAs на подложкеGaAs методом металлорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении. Вкачестве источников бора, галлия и мышьяка использовались триэтилбор, триметилгаллий и арсин. Были подобраны оптимальные условия роста. Слои были исследованы методами рентгеновской дифракции, вторичной ионной масс-спектрометрии и фототоковой спектроскопии. Результаты вторичной ионной масс-спектрометрии показали равномерное распределение бора по толщине слоя. По данным фототоковой спектроскопии ширина запрещенной зоны BGaAs уменьшается с ростом концентрации бора.