Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл--квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs наэффективность электролюминесценции

Байдусь Н.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Малышева Е.И., Ускова Е.А.

Байдусь Н.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Малышева Е.И., Ускова Е.А. Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл--квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs наэффективность электролюминесценции // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 25

Аннотация Исследовано влияние различных способов обработки поверхности квантово-размерных гетероструктур GaAs/In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции изготовленных на их основе диодов с барьером Шоттки. Установлено, что наибольший эффект увеличения интенсивности электролюминесценции наблюдается от экспонирования поверхности в CCl4 при температуре 580oC с последующим анодным окислением. Показано, что промежуточный туннельно-тонкий анодный окисел играет важную роль в обеспечении инжекции неосновных носителей из металла в арсенид галлия. Эффективность электролюминесценции существенно зависит от толщины анодного окисла.