Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сенсоры аммиака наоснове диодовPd--n-Si

Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Хлудкова Л.С.

Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Хлудкова Л.С. Сенсоры аммиака наоснове диодовPd--n-Si // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 285

Аннотация Исследовано влияние аммиака на электрические характеристики диодных структурPd--n-Si. Изучена кинетика изменения характеристик диодов при воздействии аммиака. Показано, что быстродействием сенсоров аммиака на основе диодовPd--n-Si можно управлять, подавая импульсы дополнительного потенциала на барьерный электрод.