Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электронные и излучательные свойства пористого кремния, легированного золотом

Примаченко В.Е., Кононец Я.Ф., Булах Б.М., Венгер Е.Ф., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Цыркунов Ю.А.

Примаченко В.Е., Кононец Я.Ф., Булах Б.М., Венгер Е.Ф., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Цыркунов Ю.А. Электронные и излучательные свойства пористого кремния, легированного золотом // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 595

Аннотация Исследованы температурные зависимости фотоэдс при возбуждении ее импульсами красного и белого света большой интенсивности и разрешенные по времени релаксации спектральные зависимости фотолюминесценции на структурах пористого кремния (ПК--p-Si), полученных анодным травлением p-Si и легированных затем золотом с концентрацией его ионов в водном растворе 10-4 и 10-3M. После нанесения на пористый кремний полупрозрачных золотых электродов исследованы также вольт-амперные характеристики и электролюминесценция структур ПК--p-Si и ПК<Au>-p-Si. Показано, что легирование золотом изменяет граничный потенциал p-Si с положительного на отрицательный, изменяет величину и знак фотоэдс в пленках пористого кремния, ликвидирует явления фотопамяти, связанные с захватом неравновесных электронов в приграничные ловушки и в ловушки пористого кремния. Вольт-амперные и фотолюминесцентные характеристики существенно изменялись вследствие формирования в пористом кремнии нанокристаллов золота. На структурах Au--ПК<Au, 10-3M>--p-Si--Al обнаружена электролюминесценция, обусловленная свечением этих нанокристалов.