Профиль » Публикация

Аннотация Узкозонные полупроводниковые сплавы II--VI и IV--VI являются удобным объектом для исследования электрон-фононного взаимодействия. Однако в сплавах IV--VI концентрация свободных носителей достаточно высока (~1018 см-3), что затрудняет изучение этого эффекта методом оптического отражения. Концентрация свободных носителей в узкозонных твердых растворах Hg1-xZnxTe значительно меньше (~1016 см-3), поэтому плазменная составляющая оказывает меньшее влияние на спектр решеточного отражения. Спектры отражения кристаллов Hg1-xZnxTe с x=0.1-1 исследовались в далекой инфракрасной области в диапазоне 30-700 см-1 в интервале температур 40-300 K. Спомощью дисперсионного анализа и анализа Крамерса--Кронига определены частоты TO-фононов HgTe- и ZnTe-подобных мод в зависимости от состава. Показано, что перестройка фононного спектра имеет двухмодовый характер. Вузкозонном сплаве с x=0.1 измерены температурные зависимости частот TO-фононов и параметра затухания в интервале температур 80-200 K. Впервые оптическими методами обнаружено уменьшение частоты TO-фонона мягкой моды вблизи точки инверсии зон при T=110 K. Параметр затухания несколько возрастает в окрестности этой температуры. Полученные результаты качественно согласуются с теоретической моделью Кавамуры и др., учитывающей влияние электрон-фононного взаимодействия на частоту мягкой моды в соединениях IV--VI. PACS: 63.20.-e, 63.20.Dj, 63.20.Mt