Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 717
Аннотация
Проанализированы спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики при прямом и обратном смещении, распределение ближнего поля излучения светодиодов флип-чип на основе гетероструктур с активным слоем из InAsSb (длина волны4.2 мкм, 300 K), имеющих глубину мезы 40--50 мкм и диаметр240 мкм. Обсуждаются фактор увеличения выхода излучения, связанный с особенностями геометрии структуры, и выбор оптимального режима работы светодиода в зависимости от рабочей температуры. PACS:85.60.Jb
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален