Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация*Институт прикладных проблем механики и математики им.Я.Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, 79053 Львов, Украина &#36; Национальный университет &lt;&lt; Львовская политехника&gt;&gt;, 79013 Львов, Украина &#92;wedge Инс ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Роль примесной зоны при переходе диэлектрик--металл приизменении состава сильно легированного икомпенсированного полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb. Донорные примеси

Ромака В.А., Шеляпина М.Г., Стаднык Ю.В., Fruchart D., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф.

Ромака В.А., Шеляпина М.Г., Стаднык Ю.В., Fruchart D., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф. Роль примесной зоны при переходе диэлектрик--металл приизменении состава сильно легированного икомпенсированного полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb. Донорные примеси // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 796

Аннотация Определена роль примесной донорной зоны в проводимости сильно легированного и компенсированного интерметаллического полупроводника TiCoSb. Произведен расчет электронной структуры полупроводникового твердого раствора TiCo1-xNixSb. Предложена модель перестройки примесной зоны полупроводника TiCoSb при легировании донорными примесями. Выявлен переход проводимости от активационной к металлической при изменении состава твердого раствора TiCo1-xNixSb, который мы связываем с переходом Андерсона. PACS: 71.20.Nr, 71.30.+h, 72.20.Pa, 75.20.Ck, 81.05.Hd