Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия * Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электролюминесценция надлине волны 1.54 мкм вструктурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Кузнецов В.П., Ремизов Д.Ю., Шабанов В.Н., Рубцова Р.А., Степихова М.В., Крыжков Д.И., Шушунов А.Н., Белова О.В., Красильник З.Ф., Максимов Г.А.

Кузнецов В.П., Ремизов Д.Ю., Шабанов В.Н., Рубцова Р.А., Степихова М.В., Крыжков Д.И., Шушунов А.Н., Белова О.В., Красильник З.Ф., Максимов Г.А. Электролюминесценция надлине волны 1.54 мкм вструктурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 868

Аннотация Вдиодных структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме~10-7 мбар при температуре 520-580oC, исследована интенсивность электролюминесценции на длине волны1.54 мкм при комнатной температуре в зависимости от концентрации и распределения эрбия и донорных примесей в области объемного заряда(ОПЗ), а также от толщиныОПЗ. Найдены пути получения электролюминесценции в диодах, имеющих широкуюОПЗ (0.1-1 мкм). Найдены длина пробега электронов при взаимодействии с центрами Er и значение пороговой энергии свободного электрона, необходимой для возбуждения электрона в оболочкеEr. Экспериментально определены значения напряженности электрического поля при пробое кремниевых p-i-n-диодов, легированных и нелегированныхEr. Предложена модель взаимодействия горячих электронов с центрамиEr. PACS:73.20.Hb, 73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.Kk