Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина + Физико-технический институт Научного объединения &#92;glqq Фи ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоевGaAs иAlGaAs наподложкахGaAs сразвитой площадью поверхности

Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Борковская О.Ю., Винокуров Д.А., Дмитрук Н.Л., Каримов А.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Конников С.Г., Мамонтова И.Б.

Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Борковская О.Ю., Винокуров Д.А., Дмитрук Н.Л., Каримов А.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Конников С.Г., Мамонтова И.Б. Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоевGaAs иAlGaAs наподложкахGaAs сразвитой площадью поверхности // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 876

Аннотация Разработаны газофазная и жидкофазная технологии эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs(100) с развитой площадью поверхности. На подложках изготавливались слои пористого GaAs, а также создавались микрорельефы дендритного и решеточного типа. Для оценки качества слоев проведены сопоставительные исследования морфологии поверхности и рентгеноструктурные исследования. Далее были разработаны фотопреобразователи на основе этих слоев. Лучшие параметры показали приборы на основе слоев с микрорельефом подложки дендритного типа, которые имели среди исследованных образцов наибольшее развитие площади рабочей поверхности, а плотность дислокаций в слое составляла 104 см-2. Вчастности, внешняя квантовая эффективность фотопреобразователей на длине волны0.65 мкм была выше на150% по сравнению с контрольными образцами, изготовленными на гладкой поверхности. PACS: 68.55.Ce, 68.55.Df, 81.60.Cp, 85.30.Kk, 85.60.Dw