Профиль » Публикация

Аннотация Для полупроводниковых твердых растворов AlxGa1-xAs с x=0.15 и0.21 при температурах T=1.7-380 K измерялись спектр края поглощения и температурная зависимость интегрального коэффициента поглощения света. Результаты обсуждаются на основе двух моделей экситон-поляритонного переноса энергии возбуждения, которые в системах со случайным экситонным потенциалом могут привести к непостоянству интегрального поглощения при низких температурах. Водном случае температурная аномалия в поглощении рассматривается как результат конкуренции экситонного и электромагнитного переноса в квазиоднородной среде (виртуальном кристалле) с пространственной дисперсией. Вдругом случае эффект связан с переизлучением резонансных локализованных экситонов вдоль конечных цепочек квантовых ям в отсутствие экситонного переноса. На основании наблюдений характерной температурной зависимости интегрального поглощения сделан вывод о существовании экситонных поляритонов в исследованных твердых растворах. Для твердого раствора Al0.15Ga0.85As найдена критическая температура Tc=155 K, выше которой интегральное поглощение насыщается. Показано, что для твердых растворов при T=1.7-60 K домнирующим является неоднородное уширение экситонной линии флуктуирующим потенциалом, которое существенно превышает однородное уширение, обусловленное взаимодействием экситонов с фононами и заряженными примесями. PACS: 71.35.-y, 71.35.Cc, 71.36.+c, 71.55.Eq