Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияУральский государственный технический университет (УПИ), 620002 Екатеринбург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сжатие токопроводящей области всобственном полупроводнике, вызванное джоулевым саморазогревом

Рыбаков Ф.Н., Мелких А.В., Повзнер А.А.

Рыбаков Ф.Н., Мелких А.В., Повзнер А.А. Сжатие токопроводящей области всобственном полупроводнике, вызванное джоулевым саморазогревом // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 20

Аннотация Построена модель распределения плотности тока и температуры в полупроводниковом образце. Показано, что профиль температуры в образце может иметь точку перегиба, разделяющую \glqq гoрячую\grqq и \glqq холодную\grqq области. Положение точки перегиба определяется величиной тока: чем больше ток через образец, тем точка перегиба ближе к центру образца. PACS: 72.20.Fr, 72.20.Ht