Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияБелорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника спрыжковой электропроводностью (напримереp-Si : B)

Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г.

Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника спрыжковой электропроводностью (напримереp-Si : B) // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 31

Аннотация Рассматривается умеренно легированный полупроводник на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл, когда акцепторы в зарядовых состояниях(-1), (0) и(+1) формируют A0- и A+-зоны. Получены выражения для длин экранирования внешнего электростатического поля по Дебаю-Хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции дырок по акцепторам. Проведен расчет квазистатической емкости полупроводника для области температур, когда прыжковые электропроводности дырок в A0-зоне и A+-зоне примерно равны. Показана возможность определения длины экранирования Дебая-Хюккеля исходя из измерений квазистатической емкости даже в условиях сильного поля, т. е.в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигнала при измерении квазистатической емкости полупроводника в структуре металл-диэлектрик-полупроводник должна быть много меньше средней частоты прыжков дырок по акцепторам (атомам бора в кремнии). PACS: 71.30.+h, 71.55.Cn, 72.20.Ee, 72.20.Fr