Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияЧерновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te всолнечных элементах

Косяченко Л.А., Кульчинский В.В., Паранчич С.Ю., Склярчук В.М.

Косяченко Л.А., Кульчинский В.В., Паранчич С.Ю., Склярчук В.М. Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te всолнечных элементах // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 95

Аннотация Исследованы фоточувствительные в области 0.3-1.1 мкм поверхностно-барьерные диоды на основе CdxHg1-xTe (x~ 0.8), полученные травлением (бомбардировкой) поверхности кристалла p-типа проводимости ионами аргона. Сиспользованием измеренных спектральных кривых поглощения и отражения, а также параметров диодной структуры, найденных из электрических характеристик, рассчитаны спектры фотоэлектрической квантовой эффективности диодов. Приведены результаты расчетов фотоэлектрических параметров диодов на основе Cd0.8Hg0.2Te в сравнении с солнечными элементами на основе CdTe иSi. Для условий солнечного облученияAM1.5 найдены напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, атакже предельные значения коэффициента полезного действия. PACS: 73.30.+y, 78.66.Hf, 84.60.Jt