Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1992-01-25 ЖурналПисьма в ЖЭТФ

Электродипольные спиновые переходы нейтрального акцептора Mn^0_{Ga} в GaAs

Баран Н.П., Братусь В.Я., Максименко В.М., Марков А.В., Семенов Ю.Г.

Баран Н.П., Братусь В.Я., Максименко В.М., Марков А.В., Семенов Ю.Г.. Электродипольные спиновые переходы нейтрального акцептора Mn^0_{Ga} в GaAs // Письма в ЖЭТФ, том 55, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Аннотация

http://www.jetpletters.ac.ru/ps/238/article_3960.pdf

Показать статистику

Похожие публикации

Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)
Structural and optical investigations of AlxGa1-xAs:Si/GaAs(100) MOCVD heterostructures
Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах AlxGa1-xAs:Si/GaAs(100) , полученных МОС-гидридным методом
Экспериментальное исследование обратимой деградации GaAs ПТШ под воздействием импульсных перегрузок (Investigation of recoverable degradation of GaAs MESFET`s under exposure of pulse overloads)
Влияние буферного пористого слоя GaAs и легирования диспрозием в гетероструктурах GaInP:Dy/por-GaAs/GaAs(100)
Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС–гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100) на основе твердых растворов вычитания

Профиль » Публикация

Комментарии