Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.&nbsp;Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: Evgenii.Moskalenko@pop.ioffe.rssi.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Гигантский всплеск интенсивности излучения линии пространственно-непрямых экситонов в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs

Москаленко Е.С., Криволапчук В.В., Жмодиков А.Л.

Москаленко Е.С., Криволапчук В.В., Жмодиков А.Л. Гигантский всплеск интенсивности излучения линии пространственно-непрямых экситонов в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 8, Стр. 1492

Аннотация В настоящей работе исследуется низкотемпературная (T=<q 30 K) фотолюминесценция линии пространственно-непрямых экситонов в двойных квантовых ямах GaAs/Al0.33Ga0.67As в зависимости от мощности оптической накачки и величины приложенного к образцу электрического поля. При определенных значениях внешнего электрического поля, температуры и оптической накачки обнаружен гигантский (в 3 раза) всплеск интенсивности люминесценции части спектрального контура линии непрямых экситонов. Кроме того, обнаружено, что эта часть контура линии непрямых экситонов изменяет свою интенсивность (флуктуирует) во времени с характерным периодом в десятки секунд. Полученные результаты обсуждаются в рамках модели бозе-эйнштейновской конденсации для системы двумерных бозонов, обладающих наряду со свободным, еще и дискретным спектром энергий, расположенным ниже дна зоны свободных состояний. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-18296).