Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский институт физики им.&nbsp;В.А.&nbsp;Фока Санкт-Петербургского государственного университета, 198504 Санкт-Петербург, Петергоф, Россия E-mail: loginov\_dmitriy@mail.ru ЖурналЖурнал "Физика Твердого Тела"

Интерференция поляритонных волн вструктурах сширокими квантовыми ямами GaAs/AlGaAs

Логинов Д.К., Убыйвовк Е.В., Ефимов Ю.П., Петров В.В., Елисеев С.А., Долгих Ю.К., Игнатьев И.В., Кочерешко В.П., Селькин А.В.

Логинов Д.К., Убыйвовк Е.В., Ефимов Ю.П., Петров В.В., Елисеев С.А., Долгих Ю.К., Игнатьев И.В., Кочерешко В.П., Селькин А.В. Интерференция поляритонных волн вструктурах сширокими квантовыми ямами GaAs/AlGaAs // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 11, Стр. 1979

Аннотация Экспериментально исследованы спектры отражения света от полупроводниковых структур GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами. Теоретический анализ спектров выполнен в рамках экситон-поляритонной модели в приближении размерного квантования экситонного центра масс с учетом вкладов в поляризацию как тяжелых, так и легких экситонов. Оценены границы применимости теории квантования центра масс для гетероструктур GaAs/AlGaAs. Установлено, что для квантовых ям толщиной более 180 nm наблюдаемые в спектрах отражения эффекты интерференции поляритонных волн с хорошей точностью воспроизводятся в теоретическом расчете, основанном на квантовании экситонного центра масс. При толщинах квантовых ям менее 150 nm результаты эксперимента лучше описываются моделью квантования электронов и дырок. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 06-02-17157-a), Министерства науки и образования РФ (грант N РНП.2.1.1.362), а также Международного научного технического центра ISTC (грант N 2679). PACS: 71.35.-y, 73.61.Ey, 78.66.Fd