Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияЛьвовский государственный институт им. Ив.Франко, 290602 Львов, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О фотоэлектрическом усилении варизонными фоторезисторами

Савицкий В.Г., Соколовский Б.С.

Савицкий В.Г., Соколовский Б.С. О фотоэлектрическом усилении варизонными фоторезисторами // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 3

Аннотация Теоретически рассмотрены особенности фотоэлектрического усиления варизонных фоторезисторов с линейно увеличивающейся к контактам шириной запрещенной зоны. Показано, что в таких фоторезисторах реализуется немонотонная полевая зависимость коэффициента фотоэлектрического усиления, максимальное значение которого увеличивается с ростом градиента ширины запрещенной зоны и может существенно превышать соответствующее значение для однородных образцов.