Профиль » Публикация

Аннотация Теоретически исследовано влияние туннельной прозрачности диэлектрического слоя Tn,p на распределение электрического поля и зависимость ток-интенсивность j-Ii в чистой высокоомной сильно смещенной структуре металл--диэлектрик--полупроводник--диэлектрик металл (МДПДМ). Показано, что с уменьшением Tn,p носители аккумулируются вблизи электродов противоположной полярности, и их плотность резко возрастает в слоях толщиной порядка lk=kT/eEe (Ee=V/d). Определена область параметров, в которой эффекты аккумуляции столь велики, что поле вблизи электродов заметно растет, и его значения существенно превышают среднее поле. Зависимость тока от прозрачности определяется барьером Шоттки. При умеренных полях, если фототок много больше темнового, плотность тока с уменьшением Tn,p слабо растет, стремясь к максимальному значению eIi. При сильных полях ток резко растет из-за инжекции носителей через пониженный потенциальный барьер.