Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдавия &#36;Санкт-Петербургский государственный технический университет 195254 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительность гетероструктур InP/CdS в линейно поляризованном свете

Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Плешка В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Плешка В.Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительность гетероструктур InP/CdS в линейно поляризованном свете // ФТП, 1997, том 31, выпуск 2, Стр. 241

Аннотация Представлены результаты измерений фоточувствительности структур (p+-p-)-InP/n+-CdS, полученных выращиванием слоев фосфида индия и сульфида кадмия на подложках p+-InP с ориентацией (100). Токовая фоточувствительность структур составляет Si~= 0.13А/Вт при T=300K в спектральном диапазоне 1.3/2.4эВ. Обнаружена поляризационная фоточувствительность при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность CdS. Величина наведенного фотоплеохроизма контролируется углом падения (theta) как ~theta2 и достигает максимальной величины ~ 50% при theta~= 75/80o. Максимальная азимутальная фоточувствительность достигает ~ 0.13А/Вт·град. Гетероструктуры InP/CdS могут найти применение в качестве поляриметрических фотодетекторов.