Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияXИнститут физической электроники, 70569 Штуттгарт, Германия Государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия +Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In, Ga)Se2

Вальтер Т., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шок Г.В.

Вальтер Т., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шок Г.В. Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In, Ga)Se2 // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 806

Аннотация Изучены фотоэлектрические свойства тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In, Ga)Se2 с применением поляризационной спектроскопии фотоактивного поглощения. Показано, что тонкопленочные солнечные элементы имеют высокую эффективность относительно интенсивности неполяризованного излучения в диапазоне энергий фотонов от 1.2 до 2.5 эВ. Коэффициент наведенного фотоплеохроизма PI возрастает с увеличением угла падения падающего излучения в соответствии с законом PI~ theta2 и при 70o достигает 17-20% при энергии фотонов 1.3 эВ. Обнаружены также осцилляции фотоплеохроизма. Эти результаты обсуждаются с учетом эффекта просветления. Полученные результаты открывают возможности использования таких солнечных элементов в качестве широкополосных фотосенсоров линейно-поляризованного излучения и контроля процессов получения высокоэффективных тонкопленочных солнечных элементов на основе тройных полупроводников.