Профиль » Публикация

Аннотация Исследована динамика установления электрического поля и тока при освещении высокоомной слабо легированной (чистой) сильно смещенной симметричной структуры металл--полупроводник и металл--диэлектрик--полупроводник монохроматическим собственным светом. Численно решалась система транспортных уравнений в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнение Пуассона. На границах полупроводника учтена эмиссия носителей и их поверхностная рекомбинация. Показано, что при включении (выключении) освещения поле в структуре монотонно релаксирует к стационарному распределению. Время установления поля и тока при включении освещения примерно равно времени дрейфа для дырок tdr, рассчитанному по среднему полю Ee=V/d, и не зависит от интенсивности света Ii, коэффициента поглощения и туннельной прозрачности границ раздела Tn, p. Время восстановления темнового тока и поля при выключении света увеличивается с увеличением Ii и уменьшением Tn, p, однако остается порядка tdr. При сильном поглощении и интенсивности, превышающей характерный масштаб, определяющий область слабого экранирования поля, зависимость полного тока от времени немонотонна. При заполнении ловушек на поверхности вблизи электродов начинается аккумуляция носителей, что при достаточно больших Ii и низких Tn, p приводит к скачку поля у анода.