Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияУниверситет Технологии. Нагаока. Ниигата 940--21. Япония *Государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия &#36;Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрические свойства структур на основе монокристаллов TlInS2

Иида С., Мамедов Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Иида С., Мамедов Н., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фотоэлектрические свойства структур на основе монокристаллов TlInS2 // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 78

Аннотация Исследован фотовольтаический эффект в гетероконтактах различного типа: In/TlInS2, InSe/TlInS2 и GaSe/TlInS2. Относительная квантовая эффективность фотопреобразования этих структур изучена в зависимости от энергии падающих фотонов и плоскости поляризации линейно поляризованного света. Из измерений фоточувствительности следует, что полученные фоточувствительные структуры могут быть использованы как широкополосные и селективные фотосенсоры оптических излучений.