Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 Организация* Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs / AlGaAs

Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Шашкин В.В., Торопов А.И.

Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Шашкин В.В., Торопов А.И. Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs / AlGaAs // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 209

Аннотация Обнаружено возрастание темнового тока на 2/3порядка в многослойных структурах с квантовыми ямами GaAs/AlxGa1-xAs при x~= 0.4 после освещения структур оптическим излучением (lambda