Профиль » Публикация

Аннотация В спектрах фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs, легированных кремнием в барьерах или в ямах и барьерах, наряду с экситонной полосой обнаружена низкочастотная полоса, которую мы интерпретируем как донорно-акцепторную рекомбинацию на основании зависимости ее частоты от интенсивности возбуждающего света при непрерывном возбуждении и от времени задержки при импульсном возбуждении. Исследование проводилось в основном на структурах типаII. Из энергии максимума донорно-акцепторной полосы при очень малой интенсивности возбуждения можно оценить, что EA+ED~ 120 мэВ. Оценка по температурной зависимости интенсивности дает EA~ 23 мэВ, ED~ 90 мэВ. Высказанна гипотеза, что глубокий донорный уровень является DX-центром в слояхAlAs.