Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия #Институт микроэлектроники Российской академии наук, 150 ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного диспрозием и гольмием

Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А., Шек Е.И., Маковийчук М.И., Паршин Е.О.

Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А., Шек Е.И., Маковийчук М.И., Паршин Е.О. Образование донорных центров при отжиге кремния, имплантированного диспрозием и гольмием // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1029

Аннотация Установлено, что имплантация ионов диспрозия и гольмия с энергией 1 МэВ и дозой 1013 см-2 в кремний и последующий отжиг при температурах 600/ 900oC сопровождаются образованием донорных центров. Концентрация донорных центров возрастает при увеличении концентрации кислорода в исходном материале или при дополнительной имплантации кислорода. Одинаковое поведение коэффициента активации и концентрационных профилей донорных центров в зависимости от температуры отжига и концентрации кислорода наблюдалось в Si : Dy и Si : Ho. Результаты указывают, что имеет место образование по крайней мере двух типов донорных центров, содержащих атомы редкоземельных элементов и(или) примеси кислорода.