Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195257 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Universitat Stuttgart, Institut fur Physikalische Elektronik, ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Schock H.W.

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Schock H.W. Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 484

Аннотация Рассмотрены результаты применения поляризационной спектроскопии фоточувствительности тонкопленочных солнечных элементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 с различными толщинами слоев CdS (50 и 100 нм) и ZnO (500 и 1000 нм). Установлено, что коэффициент наведенного фотоплеохроизма понижается, а квантовая эффективность фотопреобразования солнечных элементов повышается с ростом толщины фронтального слоя. Экспериментальные угловые и спектральные зависимости наведенного фотоплеохроизма связываются с антиотражающими свойствами фронтальных слоев ZnO. Сделан вывод о возможностях использования поляризационной спектроскопии фоточувствительности для экспрессной диагностики готовых солнечных элементов и оптимизации технологии их получения.