Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195257 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Наведенный фотоплеохроизм в полупроводниках

Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Наведенный фотоплеохроизм в полупроводниках // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 513

Аннотация Рассмотрены и обобщены результаты экспериментальных исследований наведенного фотоплеохроизма элементарных (Si, Ge), бинарных (AIIIBV, AIIBVI) и более сложных алмазоподобных полупроводников (твердые растворы AIIIBV--AIIIBV, тройные соединения AIBIIICVI2 и AIIBIVCV2) и фоточувствительных структур на их основе. Анализируются установленные закономерности наведенного фотоплеохроизма в различных типах фотопреобразователей и их взаимосвязь с параметрами полупроводников. Обсуждаются возможности практических применений наведенной поляризационной фоточувствительности изотропных полупроводников в поляриметрических структурах и диагностике их качества.