Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияМосковский педагогический государственный университет, 119435 Москва, Россия *Массачусетский университет, МА 01003 Амерст, США ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Множественное андреевское отражение в гибридных структурах наоснове сверхпроводящего нитрида ниобия и гетероперехода AlGaAs/GaAs

Веревкин А.А., Птицина Н.Г., Смирнов К.В., Воронов Б.М., Гольцман Г.Н., Гершензон Е.М., Ингвессон К.С.

Веревкин А.А., Птицина Н.Г., Смирнов К.В., Воронов Б.М., Гольцман Г.Н., Гершензон Е.М., Ингвессон К.С. Множественное андреевское отражение в гибридных структурах наоснове сверхпроводящего нитрида ниобия и гетероперехода AlGaAs/GaAs // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 590

Аннотация Исследована проводимость гибридных микроструктур со сверхпроводниковыми контактами из нитрида ниобия к полупроводнику с двумерным электронным газом в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Особенности поведения проводимости указывают на наличие процессов многократного андреевского отражения на рассеивающих центрах в нормальной области вблизи границы сверхпроводник--полупроводник.