Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Ga0.7Al0.3As и GaAs

Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Улин В.П., Титков А.Н.

Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Улин В.П., Титков А.Н. Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Ga0.7Al0.3As и GaAs // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 594

Аннотация Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология окисленной поверхности скола решетки чередующихся слоев GaAs и Ga0.7Al0.3As. Обнаружено, что поверхность пленки естественного окисла на сколе обладает квазистационарным нанорельефом, отражающим состав слоев гетероструктуры. Области окисла над слоями GaAlAs оказываются выше областей над слоями GaAs на 0.5 нм. Стравливание пленки окисла показывает, что на открывшейся поверхности скола также формируется нанорельеф, инвертированный по отношению к рельефу поверхности окисла. Возникновение нанорельефов на поверхности и на нижней границе пленки естественного окисла объяснено различной глубиной окисления слоев GaAs и Ga0.7Al0.3As и увеличением объема при окислении.