Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Реконструкционный переход (4x 2)-&gt; (2x 4) на поверхности (001)InAs и GaAs

Галицын Ю.Г., Мощенко С.П., Суранов А.С.

Галицын Ю.Г., Мощенко С.П., Суранов А.С. Реконструкционный переход (4x 2)-> (2x 4) на поверхности (001)InAs и GaAs // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 180

Аннотация Детально изучены фазовые переходы между различными реконструкциями на поверхности (001)GaAs и InAs методом дифракции быстрых электронов на отражение. Предложена кинетическая схема взаимодействия As4 с поверхностью. Показано, как модифицировать основные уравнения, описывающие фазовый переход, если переходы происходят в потоке As4 вместо As2. Предложена модель перехода (4x2)->(2x4) как реконструкционного перехода в слое атомов металла, стабилизированного последующей адсорбцией мышьяка. Существенное отличие переходов в GaAs от InAs обусловлено более жесткими силовыми константами. Метастабильные разупорядоченные фазы играют важную роль в непрерывной эволюции от (2x4)beta до (4x2) фазы в GaAs.