Профиль » Публикация
Опубликовано
2000-00-00
ОрганизацияУльяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Термодинамика комплексообразования икластеризации дефектов в полупроводниках
Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е. Термодинамика комплексообразования икластеризации дефектов в полупроводниках // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 385
Аннотация
Методом минимизации свободной энергии реального кристалла проводится расчет сложных дефектов в полупроводниках. Рассматривается влияние электронной подсистемы на процесс растворения примеси. Проведено моделирование кривых солидуса с учетом парной ассоциации и кластеризации.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален