Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияУльяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Термодинамика комплексообразования икластеризации дефектов в полупроводниках
Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е.
Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е. Термодинамика комплексообразования икластеризации дефектов в полупроводниках // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 385
Аннотация Методом минимизации свободной энергии реального кристалла проводится расчет сложных дефектов в полупроводниках. Рассматривается влияние электронной подсистемы на процесс растворения примеси. Проведено моделирование кривых солидуса с учетом парной ассоциации и кластеризации.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален