Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36; Государственный университет "Львивська политехника", 79013 Львов, Украина *Санкт-Петербургский государственный технический университет, ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительность структур на основе монокристаллов ZnSe

Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Иванов-Омский В.И., Украинец Н.А.

Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Иванов-Омский В.И., Украинец Н.А. Фоточувствительность структур на основе монокристаллов ZnSe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 809

Аннотация Термообработкой в вакууме и воздушной среде получены фоточувствительные структуры на основе монокристаллов ZnSe. Исследованы спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур в естественном и линейно поляризованном излучении. Обнаружена и исследована поляризационная фоточувствительность структур на основе ZnSe в зависимости от условий их создания и геометрии фоторегистрации. Показано, что фотоплеoхроизм в этих структурах возникает при наклонном падении поляризованного излучения. Установлено, что термообработка ZnSe в воздушной среде вызывает понижение фотоплеoхроизма, что связывается с интерференционными явлениями в образующихся слоях. Сделан вывод о возможностях применения ZnSe в поляриметрических фотодетекторах коротковолнового диапазона и о новом подходе в диагностике процессов взаимодействия на поверхностиZnSe.