Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование влияния варизонности эпитаксиальных слоев на эффективность работы фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe

Васильев В.В., Есаев Д.Г., Кравченко А.Ф., Осадчий В.М., Сусляков А.О.

Васильев В.В., Есаев Д.Г., Кравченко А.Ф., Осадчий В.М., Сусляков А.О. Исследование влияния варизонности эпитаксиальных слоев на эффективность работы фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 877

Аннотация Проведены расчеты в рамках одномерной диффузионно-дрейфовой модели характеристик фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe с варизонными слоями. Показано, что параметры диодов можно улучшить, если p-n-переход помещать не в центральную гомогенную часть структуры, а в проповерхностную варизонную область. Установлено, что диоды с n-слоем, прилежащим к подложке, имеют преимущество перед диодами с p-слоем у подложки при освещении со стороны подложки.