Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия *Московский физико-технический институт (Государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия +ГП НИИ "Полюс", 117342 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Аномальная дисперсия, дифференциальное усиление и дисперсия alpha -фактора в напряженных квантово-размерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs

Богатов А.П., Болтасева А.Е., Дракин А.Е., Белкин М.А., Коняев В.П.

Богатов А.П., Болтасева А.Е., Дракин А.Е., Белкин М.А., Коняев В.П. Аномальная дисперсия, дифференциальное усиление и дисперсия alpha -фактора в напряженных квантово-размерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1258

Аннотация Предложена и реализована новая методика экспериментального определения дифференциального усиления и дисперсии коэффициента амплитудно-фазовой связи в полупроводниковых инжекционных лазерах. Спомощью этой методики найдены значения alpha-фактора и дифференциального усиления для квантово-размерных полупроводниковых лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной квантовой ямой в широком спектральном диапазоне (от 957 до 996 нм) при разных плотностях тока накачки (от 280 до 850 А/см2). Впервые для InGaAs-лазеров экспериментально найден коэффициент, характеризующий дисперсию групповой скорости и ограничивающий минимальную длительность импульса генерации на уровне 10-13 с.