Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Инжекционные токи в кремниевых структурах с блокированной прыжковой проводимостью

Есаев Д.Г., Синица С.П.

Есаев Д.Г., Синица С.П. Инжекционные токи в кремниевых структурах с блокированной прыжковой проводимостью // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1270

Аннотация Показано, что инжекционные токи в структурах с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структуры) могут быть интерпретированы как токи термоэлектронной эмиссии Ричардсона через потенциальные барьеры. Потенциальные барьеры определяются химическим потенциалом электронов в областях N++-N+(N++-I). Также показано, что измерение потенциала инжекции является удобным методом определения степени компенсации в кремниевых структурах с "омическими" контактами.