Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36; Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия * Санкт-Петербургский государственный электротехнический университе ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H ивлияние нанихтермического отжига

Курова И.А., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Афанасьев В.П., Гудовских А.С.

Курова И.А., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Афанасьев В.П., Гудовских А.С. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H ивлияние нанихтермического отжига // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 367

Аннотация Исследовались электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H, полученных методом циклического плазмохимического осаждения, и влияние на эти свойства термического отжига. Показано, что фоточувствительность неотожженных пленок велика, отношение фотопроводимости к темновой проводимости достигает величины K=3.4· 106. Сувеличением температуры отжига происходит уменьшение фоточувствительности за счет значительного уменьшения фотопроводимости и увеличения темновой проводимости. Проводимость пленок, отожженных при температуре выше 500oC, определяется суммой зонной проводимости и прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми.